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ウェビナー No.143752

2023/12/11 | 13:00~16:30

SiCを中心とした半導体表面の構造・形態制御とメカニズム【提携セミナ...

半導体の結晶構造やステップ・テラス構造、CMP・水素エッチングなどの各種表面形態の制御方法、ステップバンチング現象・ステップアンバンチング現象とその応用など、SiC半導体を中心として、効率的に平...

ウェビナー No.144862

2023/12/11 | 13:00~16:30

SiCを中心とした半導体表面の構造・形態制御とメカニズム

本講演では、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦...

ウェビナー No.143739

2023/12/12 | 10:30~16:30

パワー半導体用SiCウェハ製造技術の基礎・技術課題・開発動向【提携セ...

本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論する。

ウェビナー No.144878

2023/12/12 | 10:30~16:30

パワー半導体用SiCウェハ製造技術の基礎・技術課題・開発動向【LIVE配...

 SiCパワー半導体は近年、次世代の省エネルギー電力制御機器としてEVや鉄道などにも社会実装が始まっている。SiCウェハも8インチの大口径へ量産品が進もうとしているが、SiCは極めて安定でダイヤ...

ウェビナー No.143646

2023/12/15 | 10:30 -16:30

「超精密研磨/CMP/ボンディング」半導体基板プロセス技術の基礎と3DI...

「超精密研磨/CMP/ボンディング」セミナー。加工メカニズムなどの基礎や加工事例から、先端パワーデバイス用(SiC/GaN/ダイヤモンド)材料向けの高効率・高品質な加工プロセスや、3DICデバイ...

ウェビナー No.147223

2023/12/18 | 13:00-17:00

2023年12月18日開講。WEBセミナー。「SiCパワー半導体開発の基礎と現...

2023年12月18日開講。WEBでオンラインLive講義にどこからでも参加できます。第一人者の関西学院大学 大谷 昇氏のご講演。SiCパワー半導体開発の基礎と現状および SiC単結晶ウェハ製造...

ウェビナー No.151588

2023/12/23 | 10:00~16:30

「SiCとGaN」半導体ビジネス最前線 | セミナー・イベントのご案内 |...

本セミナーは午前の部をSiC、午後の部をGaNの2部構成としデバイス・装置・材料の各分野からビジネスの最前線を探っていきます。ぜひ事業計画の立案や産業動向の調査、マーケティングの絶好の機会として...

ウェビナー No.146470

2024/01/17 | 10:30~16:30

EVシフトに伴うパワーデバイスの 最新開発状況と今後の動向、課題 ~...

2023年、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVはもはや大きな潮流となった感がある。x...

ウェビナー No.151085

2024/01/22 | 12:30 ~ 16:30 

セミナー「SiC半導体を中心とした表面形態の制御技術とメカニズム」の...

 半導体デバイスにおいて、表面の構造や形態はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。特に、パワーデバイスとしての利用が急速に拡大している炭化ケイ素(SiC)でも、それらは極めて重要である。SiC表面は...

ウェビナー No.145758

2024/01/22 | 12:30~16:30

SiC半導体を中心とした表面形態の制御技術とメカニズム【LIVE配信】 ...

半導体デバイスにおいて、表面の構造や形態はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。特に、パワーデバイスとしての利用が急速に拡大している炭化ケイ素(SiC)でも、それらは極めて重要である。SiC表面は、...

アーカイブ No.145759

2024/01/23 〜 2024/01/30

SiC半導体を中心とした表面形態の制御技術とメカニズム【アーカイブ配...

半導体デバイスにおいて、表面の構造や形態はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。特に、パワーデバイスとしての利用が急速に拡大している炭化ケイ素(SiC)でも、それらは極めて重要である。SiC表面は、...

ウェビナー アーカイブ No.146756

2024/01/22 〜 2024/01/30 | 1/22 12:30~16:30

SiC半導体を中心とした表面形態の制御技術とメカニズム【提携セミナー...

☆半導体表面形態制御技術とそのメカニズムについて詳しく解説! 半導体の高品質化・製造工程の低コスト化に繋がりうる技術を習得できます!

ウェビナー No.146590

2024/01/30 | 12:30-16:30

パワー半導体用SiCウェハの加工技術【提携セミナー】 | アイアール技...

SiC単結晶成長からウェハの切断・研削・研磨加工、それらの材料評価に関する技術動向・技術課題を把握。本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術...

ウェビナー No.147274

2024/02/02 | 10:00~16:00

Si-IGBT/SiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望【提携セミナー】 ...

最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

ウェビナー No.147447

2024/02/02 | 10:00~16:00

Si-IGBT/SiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望【LIVE配信】 | セ...

コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け回復の見通しは依然不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための...

ウェビナー No.147720

2024/02/13 | 10:30~16:30

先端的デバイス製作に必須の超精密研磨/CMPプロセス技術の基本原理か...

基礎編:加工メカニズム、消耗資材としてのパッド・スラリー等、平坦化CMP技術 応用編:3D ICプロセスを念頭にしてSiC/GaN/ダイヤモンド基板を主とする難加工材料の加工プロセス技術 将...

ウェビナー No.149993

2024/02/15 | 13:00~15:50

B240235:高電圧・大電流用途に向けたGaNパワーデバイスの開発動向 | ...

SiCの性能を凌ぐと期待されている縦型GaNパワーデバイスについて、 ◎横型を含めたGaNパワーデバイスの動向、縦型GaNパワーデバイスの他材料に対する優位性や差別化、開発の現状と展望、応用。...

ウェビナー No.150151

2024/02/20 | 13:00-17:15

2024年2月20日開講。WEBセミナー「SiC/GaNパワーデバイスの最新技術動...

2023年2月20日開講。WEBでオンラインLive講義にどこからでも参加できます。第一人者の筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸 氏、三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所 寺島...

SiC
ウェビナー 視聴無料 No.151790

2024/02/22 | 14:00~16:00

コベルコ科研×日本電子共催ウェビナー 半導体分野における解析技術...

この度、株式会社コベルコ科研と日本電子株式会社は共催で、半導体分野における解析技術に関するウェビナーを実施することとなりました。 半導体分野では、消費電力削減、微細化や高性能化に向け、SiCや...

ウェビナー No.149295

2024/03/06 | 10:30 ~ 17:30

次世代パワーモジュール(SiC、GaN)に向けた高耐熱実装と高温信頼性...

・SiCやGaNなどのパワーデバイスの実装に必要な耐熱実装技術を修得し、長期信頼性確保に活かすための講座 ・長期信頼性に必要な高耐熱性実装技術と熱設計および冷却技術を修得し、省エネ高効率化と小...